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以C4F8为放电气体，利用介质阻挡放电化学气相沉积（DBD—PECVD）法制备了氟碳聚合物（a—C：F）薄膜。使用VFIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a—C：F薄膜进行了表征，研究了放电压力及沉积时间对a—C：F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度（RMS）和a—C：F薄膜疏水性的影响。实验结果表明，薄膜的沉积速率随放电压力的升高而增大，最大值为193nm·min^-1；当放电压力较低时，薄膜的RMS值小于1．0nm；放电压力较高时，薄膜的RMS值大于100nm。无论是改变放电压力还是沉积时间，