半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ronglao2009
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我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光,首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷,探索了GaAs量子阱结构的发光机理。
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