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首次采用扫描式光刻机开展基于101．6mm（4英寸）砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究，通过研究si片与GaAs片表面状态的差异，确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态，较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法（蒸发Ti金属薄膜、涂覆PM—GI光刻胶以及生长SiN薄膜）处理GaAs晶圆表面，有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。