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前面已提到，与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga（In）As／Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光，都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及AM0／AM1．5G阳光下光生电流密度按单位光子能量绘制的光谱分布曲线㈦。由于在Ga（In）As的吸收限（约880nm）以外，太阳光谱中仍有相当丰富的红外光可以被Ge底电池所利用，使其短路电流密度远远高于电流匹配的GaInP2/GaInAs两级顶电池。为了更有效地把太阳光能转变为电能，可以通过改变In／Ga组分比，调低GaInP2/GaIn