一种激光刻蚀降低二次电子产额的方法

来源 :空间电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huoshengxin

【摘要】

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空间大功率微波器件受空间环境因素的影响，易于发生微放电效应导致器件性能退化甚至失效。二次电子严额（Secondary Electron Yield，SEY）大于1是诱导空间材料表面微放电效应发生的

【作者】

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王丹贺永宁叶鸣

【机构】

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西安交通大学微电子学院

【出处】

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空间电子技术

【发表日期】

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2018年3期

【关键词】

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微放电激光加工二次电子产额微米结构 Multipaeting Laser etching SeeondalT electron yield Mierost

【基金项目】

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国家自然科学基金（U1537211）

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空间大功率微波器件受空间环境因素的影响，易于发生微放电效应导致器件性能退化甚至失效。二次电子严额（Secondary Electron Yield，SEY）大于1是诱导空间材料表面微放电效应发生的根本条件之一。在材料表面制备微纳结构能有效抑制SEY，从而降低器件在空间环境中发生微放电的风险。激光加工可操作性强、灵活度鬲，可用于构建材料表面微米结构。本文使用1064nm红外激光器在铝合金镀银样品表面制备单元尺寸为百微米的圆孔阵列和沟槽阵列，使用磁控溅射在样品表面分别覆盖200nm银和72nm铁氧体。SEY测

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