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利用分子束外延(MBE)生长的高迁移率InAs外延层成功制备了薄膜Hall器件。这种Hall器件具有灵敏度高,温度特性好等优点,室温下的体积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为11mV/mA.kGs和40mV/V.kGs(灵敏度比相同掺杂的GaAsHall器件高50%),在(20~70)℃温度区域内,内阻温度系数和Hall电压温度系数分别为8×10^-4/℃,-2×10^-3/℃(恒流驱动)和-3×10