CMOS射频低噪声放大器的设计

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【摘要】

：

讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合性能指标的方法.在此基础上,采用SMIC 0.25

【作者】

：

王磊余宁梅

【机构】

：

西安理工大学电子工程系

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

CMOS工艺 CMOS射频集成电路 CMOS射频低噪声放大器 CMOS technology CMOS RFIC CMOS RF LNA（Low Noise A

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讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合性能指标的方法.在此基础上,采用SMIC 0.25 μm CMOS工艺库,给出了3.8 GHz CMOS LNA的设计方案.HSPICE仿真结果表明:电路的功率增益为13.48dB,输入、输出匹配良好,噪声系数为2.9dB,功耗为46.41 mw.

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