【摘 要】
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高频大电流电抗器要求磁路能够承受较大安匝电流而不饱和,在结构设计上往往需采用开放的空间 磁路,但这会对周围元件造成电磁耦合,带来额外的近场损耗和引发局部高温问题.因
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高频大电流电抗器要求磁路能够承受较大安匝电流而不饱和,在结构设计上往往需采用开放的空间 磁路,但这会对周围元件造成电磁耦合,带来额外的近场损耗和引发局部高温问题.因此,详细分析了高频大电 流电抗器的磁场分布特征,讨论了近场磁场对周围金属支撑件带来的高频附加损耗影响,并结合实际工程应用案例,进行理论分析与建模仿真,最终得出改善方案.
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