【摘 要】
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采用标准0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)电路。该QVCO电路采用了两种新技术:分裂转换偏置与电容耦合技术。该电路不仅获得较好的相位噪声,还
【机 构】
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南京邮电大学功率与射频微电子研究中心,
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采用标准0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)电路。该QVCO电路采用了两种新技术:分裂转换偏置与电容耦合技术。该电路不仅获得较好的相位噪声,还具有良好的相位误差。仿真结果表明,1.8V电压下,电路功耗为10.28mW。实现了848.1MHz~1.048GHz的调谐范围,输出频率为920MHz时,在频偏1MHz处,相位噪声为-127.5dBc/Hz,相位误差最小可达到0.01°。
Using a standard 0.18μm RF CMOS process, a low phase noise quadrature voltage-controlled oscillator (QVCO) circuit is designed. The QVCO circuit uses two new technologies: split conversion bias and capacitive coupling technology. The circuit not only get better phase noise, but also has good phase error. Simulation results show that the circuit consumes 10.28mW at 1.8V. The tuning range of 848.1MHz ~ 1.048GHz is achieved. When the output frequency is 920MHz, the phase noise is -127.5dBc / Hz at a frequency offset of 1MHz, and the phase error is as low as 0.01 °.
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