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提出了计算非晶硅肖特基二极管伏安特性的新方法,这种方法不需知道非晶硅隙态密度具体分布就可导出其伏安特性表达式,而且与实验结果相吻合。
非晶硅肖特基二极管伏安特性的计算
【摘 要】
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提出了计算非晶硅肖特基二极管伏安特性的新方法,这种方法不需知道非晶硅隙态密度具体分布就可导出其伏安特性表达式,而且与实验结果相吻合。
【机 构】
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湖南大学应用物理系
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1997年1期
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