【摘 要】
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采用酞菁钯（PdPc）和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较。在波
【机 构】
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兰州大学物理学院微电子研究所,兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
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采用酞菁钯（PdPc）和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较。在波长655 nm、光强100mW/cm2的光照条件下,结构为n＋-Si/SiO2/PdPc/C60/Al（S＆D）（PdPc/C60-OFET）器件的最大光暗比为2×103,光响应度为3 mA/W;而结构为n＋-Si/SiO2/C60/PdPc/Al（S＆D）（C60/PdPc-OFET）器件的最大光暗比为3×103,
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