【摘 要】
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用低压MOCVD法生长了n型GaN薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10^-6Torr时,用电子束蒸发淀积Pt或Pd薄层,形成肖特基接触。n-GaN薄膜上的Pt肖特基势垒高度,用电流(应为电容-校者注)-电压压法(C-V)和
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用低压MOCVD法生长了n型GaN薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10^-6Torr时,用电子束蒸发淀积Pt或Pd薄层,形成肖特基接触。n-GaN薄膜上的Pt肖特基势垒高度,用电流(应为电容-校者注)-电压压法(C-V)和电流密度-温度法(J-T)测量分别是1.04和1、03eV。同样地基于C-V和J-T测量方法,测得的n-GaN上的Pd垫垒高度分别为0.94和0.91eV。在
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