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本文报道了Al/LB聚酰亚胺膜/P-Si(100)MIS结构的C-V特性研究结果。67层LB膜样品C-V特性近乎理想,具有负的固定电荷密度约10^1^1cm^-^2量级,平带时滞后小于0.3V,对于MIS隧道结,除了在-0.5-1.5V间具有反型层箝位产生的电容峰外,在-1.5-4V间还出现了另一电容峰值,假设在强电场下隧穿能力剧增,从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区,可以解释这一峰值的出现