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采用RF磁控溅射法在石英玻璃上制备了InGaZnO薄膜, 并对薄膜进行了真空退火实验, 探讨了沉积过程中氧气流量及真空退火温度对薄膜的光学性质和电学性质的影响及其机理。测试结果表明薄膜的光透过率随氧气流的增加而增大, 且当氧气流大于1cm3/min时, 薄膜呈现出不导电性, 在通入的氧气流为0.5cm3/min时迁移率达11.9cm2/(V·s)。经过真空退火后, 氧气流小于1.5cm3/min时薄膜载流子浓度随退火温度的变化而变化;氧气流大于1.5cm3/min时样品由半绝缘性转变为半导电性。生长样品和退火样品均为n型半导体。