PVP对碳热还原氮化法制备TiN薄膜的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zjc823455041
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摘要:采用四氯化钛的无水乙醇溶液为钛源,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为成膜助剂及还原助剂,利用碳热还原氮化技术,在N2气氛下经1300oC进行还原氮化5h制备出TiN薄膜。采用XRD和SEM研究了PVP分子量及其用量对TiN薄膜微观结构的影响。结果发现,随着PVP分子量增大,薄膜中TiN晶体沿(111)面择优生长趋势减小,PVP分子量为1300000时薄膜中TiN晶粒尺寸较大,晶界减少。当PVP用量由钛/碳摩尔比为1:10增加到1:12时,TiN薄膜裂纹减少,而增至1:14时,TiN薄膜中气孔增多。TiN薄
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