【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结构在不发生软击穿(forming)的情况下具有明显
【机 构】
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西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,
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本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结构在不发生软击穿(forming)的情况下具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比大于10,并且具有良好的重复性与保持性。HfOx薄膜中含有大量的氧空位,电阻转变过程可能与氧空位形成的导电细丝有关。
In this paper, the Cu / HfOx / Ti MIM structure was prepared on ITO / Glass substrate by RF magnetron sputtering, and its electrical properties and chemical composition were analyzed. The results show that the Cu / HfOx / Ti structure has obvious bipolar resistance transition without soft forming, and the resistivity of the Cu / HfOx / Ti structure is higher than 10 and has good repeatability and retentivity. HfOx film contains a large number of oxygen vacancies, the resistance transformation process may be related to oxygen vacancies formed conductive filaments.
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