【摘 要】
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本文对 N 沟硅栅 E/D 型专用电路(其中包括 LN6131A、LN6131B,LN4731、LN8705A、LN8705B。)研制中的工艺问题,如:材料选取、工艺规范、参数调整与控制,试剂的选用、工艺环境
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本文对 N 沟硅栅 E/D 型专用电路(其中包括 LN6131A、LN6131B,LN4731、LN8705A、LN8705B。)研制中的工艺问题,如:材料选取、工艺规范、参数调整与控制,试剂的选用、工艺环境的要求,光刻工艺对成品率的影响等有关方面均做了初步探讨。对研制结果及有关数据也做了较详细的介绍。
This article on the N-type silicon gate E / D dedicated circuit (including LN6131A, LN6131B, LN4731, LN8705A, LN8705B.) Development of the process problems, such as: material selection, process specifications, parameter adjustment and control, reagent selection, Environmental requirements, lithography process on the impact of yield and other relevant aspects have done a preliminary discussion. The research results and related data also made a more detailed introduction.
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