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把各种探测器列阵以完全不同的工艺技术混成在同一种先进的硅读出器上,这种能力使得人们可对包括光伏(PV)HgCdTe/Al_2O_3、光伏HgCdTe/CdZnTe、光伏InGaAs/InP和光导(PC) GaAs/AlGaAs量子阱红外光电探测器(QWIP)在内的红外探测器工艺技术进行直接的比较。凝视红外焦平面列阵的规模范围为64×64元至1024×1024元;通过在32.5K至室温的操作温度和10~5至10~(17)光子/cm~2·s的光子背景下的混成焦平面列阵测试,我们比