【摘 要】
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描述了一种波长为1.27μm 具有新月型波导的 InGaAsP/InP 激光器。用一次外延的方法把有源层完全隐埋在 InP 层中,有源层两边的电流限制是由 Cd 扩散形成的 p 型层提供的,加
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描述了一种波长为1.27μm 具有新月型波导的 InGaAsP/InP 激光器。用一次外延的方法把有源层完全隐埋在 InP 层中,有源层两边的电流限制是由 Cd 扩散形成的 p 型层提供的,加上氧化物条形电极,构成双重电流限制。使室温 CW 的阈值电流低达28mA(20℃)。一般在30～50mA。实现了较好的模式控制。
An InGaAsP / InP laser with a crescent wave guide wavelength of 1.27 μm is described. The active layer is completely buried in the InP layer by a single epitaxial method. The current limitation on both sides of the active layer is provided by the p-type layer formed by the diffusion of Cd, plus the oxide strip electrode, which constitutes a double current limit. The room temperature CW threshold current as low as 28mA (20 ℃). Generally in 30 ~ 50mA. Achieve better mode control.
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