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在微波等离子体化学气相沉积装置中，采用负偏压形核等方法，研究两种不同的W过渡层／基体结合界面对金刚石薄膜与WC—6％Co附着力的影响。采用氢等离子体脱碳、磁控溅射镀W、高偏压碳化等方法，在YG6衬底表面形成化学反应型界面，W膜在碳化时和基体WC连为一体，极大地增加了W膜与基体的附着力，明显优于直接镀钨、碳化形成的物理吸附界面。在高负偏压下碳化，能提高表面粗糙度，增加膜与基体机械钳合，而负偏压形核增加核密度，从而增加膜与基体的接触面积，结果极大地提高了金刚石薄膜的附着力。