【摘 要】
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重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法，用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素，指出室温光荧光主要来源于带-
【机 构】
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中国电子科技集团总公司第十三研究所
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重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法，用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素，指出室温光荧光主要来源于带-带复合，荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果，并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌（DEZn）的掺杂技术和掺杂浓度，通过优化掺杂条件和退火条件，P型AlInP材料获得了0．9×10^18／cm^3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯，在20mA
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