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用ESR研究了电子束蒸发的非晶硅钆半导体合金薄膜a-Si_1-_xGd_x。其钆组分x的范围为0~10at%。薄膜的ESR信号的g因子在(2.0043±0.0001)到(2.0054±0.0001)内变化,谱线的线型因子l在(2.77±0.01)到(3.10±0.01)内变化,谱线的线宽ΔBpp在6.40×10~(-4)T到7.00×10~(-4)T内变化。用Barnes S.E.的ESR动力学理论,对薄膜的ESR信号参数随组分x的变化关系进行了