【摘 要】
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通过一种便捷的沉淀-胶溶方法，以硫酸氧钒、NH3·H2O和H2O23种无机化合物为原料制备VO2薄膜。XRD结果表明，经过N2下550℃热处理后，VO2薄膜晶体为P21／c单斜相。SEM和台阶仪测
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通过一种便捷的沉淀-胶溶方法，以硫酸氧钒、NH3·H2O和H2O23种无机化合物为原料制备VO2薄膜。XRD结果表明，经过N2下550℃热处理后，VO2薄膜晶体为P21／c单斜相。SEM和台阶仪测试表明，薄膜表面由近球形颗粒致密分布组成，颗粒粒径约为23．5nm且膜厚为142nm，EDS能谱表明该薄膜仅含有V、O两种元素。变温电阻测试结果表明，VO2薄膜具有良好的热致相变性能，相变温度为65℃。
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