【摘 要】
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为测试绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）在工作中的温度特性,利用基于有限元方法的TCAD,模拟仿真了IGBT在不同温度下的静态特性及开关特性,结合硅的热疲劳机理及IGBT损耗分析对IGBT的温度特性进行理论研究,并建立沟槽栅IGBT模型,将IGBT所处温度作为变量,调节设置IGBT工作温度,通过监测栅极电压、集电极电压即集电极电流等参
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（12205024）；
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为测试绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）在工作中的温度特性,利用基于有限元方法的TCAD,模拟仿真了IGBT在不同温度下的静态特性及开关特性,结合硅的热疲劳机理及IGBT损耗分析对IGBT的温度特性进行理论研究,并建立沟槽栅IGBT模型,将IGBT所处温度作为变量,调节设置IGBT工作温度,通过监测栅极电压、集电极电压即集电极电流等参数,得到IGBT在不同温度下的转移特性曲线、输出特性曲线、击穿特性曲线和开关特性曲线,验证与分析理论研究的合理性与准确性。研究结果表明,高温度对IGBT的正常工作具有十分显著的影响,过高的温度可能会导致IGBT出现提前开通、开关难以控制、损耗增大,甚至器件损坏的结论。该温度模拟研究与损耗分析对提高大功率IGBT高温工作稳定性具有参考意义。
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目的:研究清洁间歇性导尿技术在神经源性膀胱患者治疗过程中的作用。方法:采用回顾性研究的方法,将嘉兴某院康复中心2018年9月至2019年9月收治的神经源性膀胱患者30例作为临床研究对象,随机分为研究组（n=15）及对照组（n=15）。对照组运用传统的留置导尿方法,研究组则采用清洁间歇性导尿技术,比较两组患者临床治疗效果。结果:研究组采用清洁间歇性导尿技术后能自行排尿,残余尿量＜100ml者12例;
采用数值模拟的方法分析串联式和串并联式2种流道结构对IGBT散热器传热能力和流动阻力的影响。结果表明:采用串联式流道时IGBT功率模块的最高温度低于采用串并联式流道;采用串并联式流道时IGBT散热器的整体温度分布更加均匀,更有利于功率模块工作性能的稳定;采用串联式流道时IGBT散热器的压降低于串并联式流道,但2种流道结构的压降差值随着质量流量的减小而逐渐降低,当质量流量为0.1kg/s时,2种流道
本文利用有源钳位PWM控制器LM5025设计一款单端有源钳位反激式高压大功率IGBT的驱动电源。研究了单端有源钳位反激式拓扑的工作原理，分析了LM5025的工作特性，提出了一种基于LM5025的高压大功率IGBT驱动电源的拓扑结构，并完成外围电路的搭建和计算。最后试验结果表明，该电源的输出功率大、隔离电压高、输出电压纹波小、稳定性好，满足高压IGBT驱动电源实际应用需求。