【摘 要】
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本文探讨了用平面磁控溅射法制备ＴｉＯ２薄膜．研究了ＴｉＯ２薄膜结构随溅射条件（衬底温度、氧分压、工作气压）的变化．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测薄膜结构，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测薄膜钛氧成分比．得到了制备金红石相
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本文探讨了用平面磁控溅射法制备ＴｉＯ２薄膜．研究了ＴｉＯ２薄膜结构随溅射条件（衬底温度、氧分压、工作气压）的变化．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测薄膜结构，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测薄膜钛氧成分比．得到了制备金红石相和锐钛矿相ＴｉＯ２薄膜的最佳工艺参数．
This paper discusses the preparation of TiO2 thin films by planar magnetron sputtering. The changes of the structure of TiO2 films with the sputtering conditions (substrate temperature, oxygen partial pressure, working pressure) were studied. The structure of the film was measured by X-ray diffraction (XRD) and the ratio of titanyl oxide to the film was measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The optimum process parameters for preparing rutile phase and anatase TiO2 film were obtained.
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