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980 nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chung51

【摘 要】

：

利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150 mW,基横模输出功率可达100 mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW.显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率.其组合件在40～60 mW下,中心发射波长在977nm.满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变

【作 者】

：

徐遵图 徐俊英 杨国文 张敬明 肖建伟 陈良惠 沈光地 

【机 构】

：

中国科学院半导体所国家光电子工程研究中心,北京100083北京工业大学光电子技术实验室,北京100022

【出 处】

：

中国激光

【发表日期】

：

1997年24期

【关键词】

：

应变层  量子阱  半导体激光器  耦合 strained layer  quantum well  semiconductor laser  coupling 

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利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150 mW,基横模输出功率可达100 mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW.显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率.其组合件在40～60 mW下,中心发射波长在977nm.满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器.

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