【摘 要】
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采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La0.7Mg0.3MnO3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究。结果表明:La0.7Mg0.3MnO3薄膜在
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院
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采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La0.7Mg0.3MnO3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究。结果表明:La0.7Mg0.3MnO3薄膜在经过700℃退火2 h后为单一的钙钛矿结构,沿（112）晶向择优生长,薄膜致密平整;Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si阻变器件具有典型的双极型阻变特性,具有非常高的电阻开关比,其高阻态（HRS）与低阻态（LRS）的比值高于105,以及较佳的耐疲劳性能,器件在1000次循环后高、低阻态
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