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用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chrisliuyaqin

【摘 要】

：

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻，提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式，改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式．针对一个LDMOS的例子做了计算，并将其

【作 者】

：

孟坚 高珊 陈军宁 柯导明 孙伟锋 时龙兴 徐超 

【机 构】

：

安徽大学电子科学与技术学院,东南大学国家ASIC工程中心

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年10期

【关键词】

：

阱区 双扩散MOS晶体管 导通电阻 解析模型 well region double-diffused MOS transistor on-resistance 

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分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻，提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式，改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式．针对一个LDMOS的例子做了计算，并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比．结果表明两者相差仅5％，这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计．

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