【摘 要】
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在室温下,采用射频溅射模式和直流对靶溅射模式制备了C（60 nm）/CoCrPt（30 nm）/Ti（60 nm）系列薄膜.样品在高真空条件下进行30 min后退火,退火温度分别为RT（室温）,300,500,600℃.研究表
【机 构】
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河北师范大学物理科学与信息工程学院
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在室温下,采用射频溅射模式和直流对靶溅射模式制备了C（60 nm）/CoCrPt（30 nm）/Ti（60 nm）系列薄膜.样品在高真空条件下进行30 min后退火,退火温度分别为RT（室温）,300,500,600℃.研究表明,后退火处理对样品的微结构和磁特性有很大的影响.VSM测量结果显示,当ta=300℃时,垂直膜面矫顽力达到最大（131kA/m）;扫描探针显微镜（SPM）观察结果显示,样品的平均粒径最小为9.6 nm.
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