高温原位XRD法研究含硅杂质TiO2的煅烧相变机理

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【摘要】

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为了揭示Si杂质元素对Ti O2相变机理的影响,通过Ti Cl4水解法制得Si摩尔分数为10%的H2Ti O3和H4SiO4的金红石中间体,用DTA-DTG,XRD研究Ti O2在Si元素作用下的高温相变过程。

【作者】

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魏炎斌徐本军罗弦龙永富

【机构】

：

贵州大学材料与冶金学院

【出处】

：

化学工业与工程

【发表日期】

：

2019年3期

【关键词】

：

TIO2 硅热处理晶型转变 titanium dioxide silicon heat treatment crystal transformation

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目(51664004)

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为了揭示Si杂质元素对Ti O2相变机理的影响,通过Ti Cl4水解法制得Si摩尔分数为10%的H2Ti O3和H4SiO4的金红石中间体,用DTA-DTG,XRD研究Ti O2在Si元素作用下的高温相变过程。结果发现,掺杂Si(10%)元素的Ti O2是在650℃开始由无定形结构转变为锐钛矿相,1 000℃时由锐钛矿相转变为金红石相。结果表明:与纯的Ti O2相变温度相比,掺杂Si元素抑制了Ti O2由无定形到锐钛矿相及锐钛矿相到金红石相的转变温度;同时发现随着高温时间的增加Ti O2同种晶型结晶性变化

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