半导体纳米线的掺杂与显微结构研究

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:XA1093815462
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掺杂是非常重要的半导体技术,通过掺杂可以根本改变半导体的性质,实现功能器件,是现代微电子技术的基础。半导体纳米线研究引起了越来越多科学家的兴趣,因为纳米线不仅是低维物理关注的热点,也是构建纳米器件及更复杂系统的基元。我们通过在ZnO纳米线中进行Mn掺杂,获得了铁磁Zn Doping is a very important semiconductor technology, through the doping can fundamentally change the nature of the semiconductor, the realization of functional devices, is the basis of modern microelectronics. More and more scientists are interested in the research of semiconductor nanowires, because nanowires are not only the focus of low-dimensional physics, but also the bases of constructing nanometer devices and more complex systems. We obtained ferromagnetic Zn by Mn doping in ZnO nanowires
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