超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究

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【摘要】

：

为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层.采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成

【作者】

：

崔红玲杨邦朝杜晓松滕林周鸿仁

【机构】

：

电子科技大学电子工程学院,电子科技大学微固学院

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2004年12期

【关键词】

：

电子技术锰铜传感器三氧化二铝绝缘薄膜电子束蒸发致密性

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为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层.采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究.最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012Ω·cm和10-3量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性.

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