【摘 要】
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Mg掺杂ZnO形成的固溶体Zn（1-x）MgxO（ZMO）（0≤x≤0.25）是一种带隙较宽、电子学性质可调控的半导体材料,在薄膜太阳电池及光电设备的透明电极等方面具有重要的应用价值。基于密度泛函
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,成都纺织高等专科学校,国家超级计算深圳中心
【基金项目】
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863国家高技术研究发展计划（2015AA050610）资助项目
论文部分内容阅读
Mg掺杂ZnO形成的固溶体Zn（1-x）MgxO（ZMO）（0≤x≤0.25）是一种带隙较宽、电子学性质可调控的半导体材料,在薄膜太阳电池及光电设备的透明电极等方面具有重要的应用价值。基于密度泛函理论下的第一性原理超软赝势方法,采用GGA＋U计算了ZMO的电子结构和光学性质。计算结果表明,随着x值的增加,ZMO的禁带宽度由x=0时的3.32eV增加到x=0.25时的3.78eV;光吸收边及反射谱和能量损失谱均发生明显蓝移,峰值存在于紫外光区。计算结果与实验结论相符合。
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