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在Insb焦平面探测器（FPA）制造中，InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜，增大Insb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜，测量其光谱透过率及反射率，利用红外焦平面测试系统比较了ZnSN@SiO2膜的增透效果，结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性。