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采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了AlN薄膜,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的AlN薄膜,各工艺参数中射频功率对其择优取向的影响最大.XRD表征了AlN薄膜的结构,进而选择出最优射频功率.
射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响
【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了AlN薄膜,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的AlN薄膜,各工艺参数中射频功率对其择优取向的影响最大.XRD表征了AlN薄膜的结构,
【机 构】
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天津理工大学电子信息与通信工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室
【出 处】
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天津理工大学学报
【发表日期】
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2007年3期
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