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用气相方法在较低的温度（900℃）下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列，用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X-ray衍射（XRD）等手段对其进行了分析和表征．结果表明：在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿（111）方向生长，具有bcc结构，直径约为150nm，长度为10-30μm．