Al在InP(110)面上的吸附

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采用饱和的紧束缚平板方法计算了覆盖度为0.5ML时Al/InP(110)的电子能态,并与Al/GaAs(110)的情况进行了比较. The electron energy states of Al / InP (110) with a 0.5 ML coverage were calculated by using a saturated tight-bond slab method and compared with that of Al / GaAs (110).
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