【摘 要】
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用喷涂法在石英玻璃衬底上制备ＲＳ为１００～２００Ω／ｃｍ２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）薄膜．ＰＴ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应．
A SnO2 (Sb) transparent conductive thin film with
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用喷涂法在石英玻璃衬底上制备ＲＳ为１００～２００Ω／ｃｍ２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）薄膜．ＰＴ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应．
A SnO2 (Sb) transparent conductive thin film with RS of 100 ~ 200Ω / cm2 was prepared on a quartz glass substrate by spray coating. The PbTiO3 (PT) )film. The PT film is polycrystalline with no interfacial reaction with the SnO2 (Sb) film.
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