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采用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）方法，生长了不同氧含量的ＳＩＰＯＳ（半绝缘含氧多晶硅）膜，研究了ＳＩＰＯＳ膜的结构组成。ＳＩＰＯＳ膜是微晶，多晶和非晶共存的结构，其晶态物中含有缺氧的α－Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ（方石英）结构。膜中含氧量可变，以ＳｉＯｘ（ｘ〈２）表示，随着氧含量的增加或减少，其结构向非晶或多晶方向移动。膜中氧原子分布不均匀，局部有氧原子微区集中或缺少现象，使ｘ＝０或１或２。