氧化铟锡薄膜制备工艺参数的正交优化设计

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利用水热的方法制备了ITO透明导电薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜光电特性的影响规律。试验结果表明:影响薄膜光电性能的主要因素是前驱物浓度,其次是氨水浓度和保温温度,保温时间对薄膜光电性能的影响较小。在采用前驱物浓度为0.5mol/L、氨水浓度为3mol/L、保温温度为160℃、保温时间8h的实验条件下,沉积薄膜的性能较好。
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