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采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C:F,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数,并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分,发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关,其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关.
PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究
【摘 要】
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采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C:F,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数,并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分,发现薄膜沉积
【机 构】
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中南大学物理科学与技术学院
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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2002年4期
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