【摘 要】
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采用PEGVD氮化硅作为硅PN结太阳电池的单层抗反射膜,可使光电转换效率增加38％,短路电流增益平均达42％。利用PECVD氮化硅的Si/N元素成份比随工艺条件可变的特点,进行了多层非均
【机 构】
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天津大学电子工程系,天津大学电子工程系,天津大学电子工程系
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采用PEGVD氮化硅作为硅PN结太阳电池的单层抗反射膜,可使光电转换效率增加38％,短路电流增益平均达42％。利用PECVD氮化硅的Si/N元素成份比随工艺条件可变的特点,进行了多层非均质氮化硅抗反射膜的研究,在可见光谱范围内其表面反射率为4.5％。
Using PEGVD silicon nitride as a single-layer antireflective film for silicon PN junction solar cells, the photoelectric conversion efficiency is increased by 38% and the short-circuit current gain by an average of 42%. Based on the characteristics of Si / N element ratio of PECVD silicon nitride with variable process conditions, a multilayer non-homogeneous silicon nitride antireflection film was studied with a surface reflectance of 4.5% in the visible spectral range.
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