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通过旋涂法制备垂直型的g-C3N4/p++-Si异质结器件,研究该异质结器件的光电特性,探索其在可见和紫外光区的光电响应规律。该器件在零偏压和反偏压下均有明显的光电响应。在-1 V偏压下器件响应度为1.52 mA/W(激光波长532 nm,光强3.82 mW/mm2),响应时间约为0.94 s,光电流开关比为1.03×103。相比于g-C3N4器件,g-