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运用熔凝工艺在非晶态SiO2薄膜驻极体中掺入质量分数为0.2的Al2O3和质量分数为0.4的PbO。高温恒栅压正电晕充电及电荷衰减等实验表明,经Al^3+和Pb^2+离子参杂改性的SiO2薄膜较好的正极性驻极体性能,其正电荷储存稳定性在210d后高于95%;热激放电正电荷电流谱成为简明的负向放电曲线,峰值稳定于t=290℃附近;