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以横向光伏效应为工作模式,采用氢化非晶硅(a-Si:H)的快速退火固相晶化工艺,我们成功地研制了一维MIS结构的多晶硅(poly-Si)光位敏探测器(PSDs).测试结果表明:该器件光响应峰位在660nm附近,峰位处光谱灵敏度为1×10-3μA/μW,在20mW/cm2光功率密度下,对780nm的近红外光其平均位敏度约0.28mV/nm,与未经退火的α-Si:H器件相比,光响应最大光位敏度为0.46mV/nm,峰位红移60nm,光谱灵敏度提高了1-2个数量级。更多还原