应用于硅通孔的深孔铜电镀工艺优化

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对高深宽比(6∶1)深孔的铜电镀工艺进行了大量实验研究,通过调整电镀时间和电流密度,以及优化电镀前后的样品表面处理以及清洗方式,最终得到稳定、高效的电镀工艺方法及良好的镀层质量,其研究结果可在MEMS封装领域中得到广泛应用.
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