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为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器（SRAM）越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题，文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述：采用分级字线的方法和字线局部译码电路，提高速度；采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗；冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bit SRAM芯片采用SMIC0．18μm标准工艺，地址转换和存取时间仅为8ns，在SS模型125