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<正> 美国IBM公司近日宣布,他们首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管,其速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍,能耗比后者降低80％,有望用于制造下一代高性能移动电话等设备。 “绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术,它通过在晶体管的硅薄层和硅衬底之间使用超薄绝缘氧化层,能够减少电流干扰、降低能耗,显著提高晶体管性能。目前,该技术主要用来制造高性能的互补金属