【摘 要】
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本文报导用扫描Nd-YAG连续激光对硅中注铋的损伤层进行的退火研究。测量表明:退火能使离子注入造成的晶格损伤很好恢复,90％以上的铋原子处于替代位置,杂质浓度的分布保持不变
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本文报导用扫描Nd-YAG连续激光对<100>硅中注铋的损伤层进行的退火研究。测量表明:退火能使离子注入造成的晶格损伤很好恢复,90％以上的铋原子处于替代位置,杂质浓度的分布保持不变。文中对退火参数的选择、均匀性,以及表面温度升高、外延再生长层厚度等问题进行了讨论。文末还将实验结果与熔化型脉冲激光退火进行了比较。
This paper reports the annealing of damaged bilayers in <100> silicon by scanning Nd-YAG continuous laser. The results show that annealing can restore the lattice damage caused by ion implantation, and more than 90% of the bismuth atoms are in an alternative position, and the impurity concentration distribution remains unchanged. In this paper, the selection of annealing parameters, the uniformity, as well as the surface temperature, the thickness of the epitaxial growth layer and other issues are discussed. At the end of the article, the experimental results are also compared with those of melt-type pulsed laser annealing.
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