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采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在金属铜诱导层上成功制备出横向晶粒尺寸在1μm左右、垂直晶粒尺寸达20μm的柱状多晶硅薄膜，其晶化率在95％以上。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜（SEM）等分析测试手段研究了灯丝温度在1500—1800℃之间变化时，金属铜诱导层对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律。结果表明：金属铜诱导层的引入．在一定温度范围内改善了晶粒尺寸，改变了多晶硅薄膜的择优取向，降低了薄膜的晶化温度，提高了晶化率。